Kierownictwo i Liderzy Pakietów Roboczych
Kierowanie projektem MAB „GaN-Unipress”. Lider pakietu WP3 – rozwój źródeł pojedynczych fotonów i sensorów kwantowych na bazie GaN domieszkowanego jonami ziem rzadkich, projektowanie struktur przyrządowych i pomiary optyczne.
Lider pakietu WP1 – rozwój technologii amonotermalnego wzrostu monokryształów GaN w kierunku podłoży 4-calowych o wysokiej jakości strukturalnej i niskiej rezystywności, rozrastanie zarodzi, obróbka mechaniczna, polerowanie oraz kontrola jakości podłoży.
Lider pakietu WP2 – projektowanie i wytwarzanie zaawansowanych diod mocy (p-n, p-i-n, Schottky) na podłożach GaN z wykorzystaniem epitaksji, implantacji jonowej oraz aktywacji domieszek metodą wygrzewania wysokociśnieniowego (UHPA).
Lider pakietu WP4 – zastosowanie metod sztucznej inteligencji i uczenia maszynowego (AI/ML) do optymalizacji procesów technologicznych, integracja danych eksperymentalnych i symulacyjnych oraz budowa cyfrowego bliźniaka procesu krystalizacji amonotermalnej.
Zespół wykonawców
(Kolejność alfabetyczna według nazwisk)
Preparatyka i obróbka mechaniczna kryształów oraz podłoży GaN – cięcie, szlifowanie, obróbka krawędzi, polerowanie mechaniczne i chemomechaniczne (CMP) do stanu epi-ready, czyszczenie chemiczne oraz dokumentacja materiałowa.
Prowadzenie symulacji na poziomie przyrządowym, badania nad transportem dziur w diodach GaN oraz integracja wyników obliczeniowych z eksperymentami technologicznymi.
Horyzontalny nadzór nad komercjalizacją wyników B+R projektu, ochrona własności intelektualnej (IP), ocena potencjału wdrożeniowego, zgłoszenia patentowe, analizy rynkowe oraz współpraca i negocjowanie umów z partnerami przemysłowymi.
Charakteryzacja strukturalna oraz konfekcjonowanie kryształów, zarodzi i podłoży GaN – inspekcja mikroskopowa (VIS/UV, światło spolaryzowane), pomiary interferometryczne, analiza defektów oraz kwalifikacja materiału.
Charakteryzacja elektryczna i optoelektroniczna struktur diodowych oraz przyrządów półprzewodnikowych GaN-na-GaN.
Przygotowanie próbek GaN do implantacji jonowej, obsługa i realizacja procesów wygrzewania wysokociśnieniowego UHPA (diody JBS oraz GaN:REE), procesy litografii i metalizacji oraz wsparcie bazy danych WP4.
Projektowanie procedur przetwarzania danych eksperymentalnych i procesowych, budowa oraz weryfikacja modeli AI/ML do analizy predykcyjnej i optymalizacji procesów (w tym modele uproszczone dla cyfrowego bliźniaka) oraz wdrażanie procedur obliczeniowych.
Realizacja procesów technologicznych i epitaksjalnych (MOVPE) struktur azotku galu oraz wsparcie techniczne wytwarzania przyrządów.
Planowanie i przygotowywanie procesów amonotermalnych, dobór i montaż zarodków w instalacjach, dobór parametrów procesowych (temperatura, ciśnienie, czas), analiza poprocesowa oraz badanie próbek.