Liczna reprezentacja projektu na konferencji IWN 2026 w Japonii
Naukowcy Centrum „GaN-Unipress” oraz IWC PAN wezmą aktywny udział w konferencji International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026) w Kumamoto w Japonii (8–13 listopada 2026 r.). Wykład zaproszony wygłosi Tomasz Sochacki („From Bulk GaN to Quantum and Power Devices: Crystals, Epitaxy, and Extreme Processing”). Zespoły MAB zaprezentują również szereg referatów ustnych i posterów poświęconych krystalizacji amonotermalnej, wygrzewaniu wysokociśnieniowemu (UHPA), domieszkowaniu, diodom mocy oraz zaawansowanemu modelowaniu wieloskalowemu.
Prezentacja wyników projektu GaN-Unipress
Na konferencji FNP Connect — 5th Interdisciplinary Scientific Conference zaprezentowano kluczowe osiągnięcia zespołów badawczych WP1–WP4, w tym syntezę długich zarodzi GaN (180–218 mm) do krystalizacji podłoży 4-calowych oraz postępy w procesach epitaksji struktur diodowych i dielektryków pasywacyjnych.
Referat na konferencji DRIP21 w Warszawie
Podczas 21. edycji międzynarodowej konferencji Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP21) w Warszawie, Tomasz Sochacki wygłosił referat naukowy poświęcony fizyce defektów strukturalnych oraz zaawansowanemu obrazowaniu właściwości elektrycznych podłoży GaN.
Wystąpienie na jesiennym zjeździe E-MRS w Warszawie
W ramach konferencji European Materials Research Society (E-MRS Fall Meeting) w Warszawie zaprezentowano wyniki badań nad optymalizacją parametrów elektrycznych podłoży GaN. Referat przedstawił Tomasz Sochacki, omawiając zagadnienia kluczowe dla konstrukcji pionowych diod mocy w pakiecie WP2.
Wykład zaproszony na konferencji NUSOD 2026 w Cork
Konrad Sakowski wygłosił wykład zaproszony pt. „Drift-Diffusion Simulation of GaN-Based Luminescent Heterostructures” na międzynarodowej konferencji Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2026) w Cork w Irlandii. Przedstawił również zaawansowane metody obliczeniowe rozwijane w ramach pakietu WP4 oraz wziął udział w warsztatach branżowych.
Wykład szkoleniowy i udział w szkole letniej SSIE 2026 we Włoszech
W Brixen we Włoszech odbyła się prestiżowa szkoła letnia SSIE 2026 Summer School. Tomasz Sochacki wygłosił wykład szkoleniowo-przeglądowy pt. „GaN on GaN: From Bulk Crystals to Device 2.0 – Substrates, Epitaxy and the New Power Electronics”, poświęcony podłożom GaN, epitaksji oraz przyrządom nowej generacji. W wydarzeniu wziął także udział Roman Hrytsak, rozwijający prace eksperymentalne w zespole WP2.
Rozszerzenie zespołu i realizacja procedur aparaturowych
Do zespołu badawczego dołączyli kolejni specjaliści z zakresu charakteryzacji elektrycznej oraz modelowania obliczeniowego. Uruchomiono procedury przetargowe na doposażenie stanowisk obliczeniowych i badawczych.
Wykład zaproszony na konferencji WOCSDICE-EXMATEC 2026 w Gdańsku
Podczas połączonej konferencji WOCSDICE-EXMATEC 2026 (Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits & Expert Evaluation of New Materials for Extreme Conditions) w Gdańsku, Tomasz Sochacki zaprezentował wykład zaproszony pt. „Growth-mode-induced defects in bulk GaN crystals”, poświęcony analizie defektów generowanych przez różne mody wzrostu kryształów objętościowych GaN.
Polsko-fińskie sympozjum półprzewodników azotkowych w Helsinkach
Delegacja GaN-Unipress w składzie: Michał Boćkowski, Paweł Kempisty, Konrad Sakowski, Robert Kucharski oraz Tomasz Sochacki wzięła udział w 2nd Finnish-Polish Symposium on Nitride Semiconductor Science and Technology w Helsinkach. Spotkanie poświęcono najnowszym osiągnięciom w fizyce GaN, technologii materiałowej, charakteryzacji struktur, przyrządach półprzewodnikowych oraz budowaniu europejskiego ekosystemu innowacji.
Seminarium naukowe na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego
Michał Boćkowski wygłosił seminarium naukowe dla społeczności akademickiej Wydziału Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego. Przedstawił technologię GaN-na-GaN rozwijaną w IWC PAN oraz strategiczne cele badawcze i wdrożeniowe realizowane w projekcie MAB „GaN-Unipress”.
Projekt GaN-Unipress na antenie Programu 1 Polskiego Radia
W audycji red. Krzysztofa Michalskiego „Eureka. Ludzie Nauki” w radiowej Jedynce wystąpił Michał Boćkowski. Opowiedział radiosłuchaczom o potencjale kryształów azotku galu dla energoelektroniki i technologii kwantowych oraz o misji i planach nowo powołanego Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych.
Wykład na międzynarodowym seminarium ISHA 2026
W ramach cyklu seminariów online organizowanych przez International Solvothermal and Hydrothermal Association (ISHA), Tomasz Sochacki wygłosił wykład pt. „Ammonothermal Growth of GaN Crystals: From Fundamentals to the State of the Art”. Wystąpienie przybliżyło międzynarodowemu audytorium fizyczne podstawy krystalizacji amonotermalnej oraz kierunki rozwoju technologii podłoży GaN w projekcie.
Oficjalne rozpoczęcie realizacji projektu „GaN-Unipress”
Instytut Wysokich Ciśnień PAN rozpoczął realizację 4-letniego projektu w ramach programu Międzynarodowe Agendy Badawcze (MAB FENG), współfinansowanego ze środków Programu Fundusze Europejskie dla Nowoczesnej Gospodarki 2021–2027.